Sputtering Coating စွမ်းအင်မြင့်အမှုန်များသည် အစိုင်အခဲမျက်နှာပြင်ကို ဗုံးကြဲသောအခါ၊ အစိုင်အခဲမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အမှုန်များသည် စွမ်းအင်ရရှိနိုင်ပြီး မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အမှုန်အမွှားများမှ လွတ်မြောက်နိုင်သည်။Sputtering ဖြစ်စဉ်ကို 1870 တွင် coating technology တွင် စတင်အသုံးပြုခဲ့ပြီး စုဆောင်းမှုနှုန်း တိုးလာခြင်းကြောင့် 1930 နောက်ပိုင်းတွင် စက်မှုကုန်ထုတ်လုပ်ငန်းများတွင် တဖြည်းဖြည်း အသုံးပြုလာခဲ့သည်။အသုံးများသော ဝင်ရိုးစွန်းနှစ်ချောင်း ပွတ်ဆွဲခြင်း ကိရိယာကို ပုံ 3 တွင် [ဖုန်စုပ်တံနှစ်ချောင်းကို အပေါ်ယံ ပွတ်ဆွဲခြင်း၏ ဇယားကွက်ပုံ] တွင် ပြထားသည်။အများအားဖြင့် အပ်နှံရမည့်ပစ္စည်းကို cathode တွင် တပ်ဆင်ထားသည့် plate-a target အဖြစ် ပြုလုပ်ထားသည်။အလွှာကို ပစ်မှတ်မှ စင်တီမီတာ အနည်းငယ်အကွာတွင် ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်ကို မျက်နှာမူထားသည့် အန်နိုဒိတ်ပေါ်တွင် ထားရှိပါ။စနစ်အား မြင့်မားသောလေဟာနယ်သို့ စုပ်ထုတ်ပြီးနောက် ၎င်းကို 10 ~ 1 Pa ဓာတ်ငွေ့ (များသောအားဖြင့် အာဂွန်) နှင့် ပြည့်နေပြီး cathode နှင့် anode အကြား ဗို့အားထောင်ပေါင်းများစွာကို သက်ရောက်ကာ လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှစ်ခုကြားတွင် တောက်ပသောအထွက်ကို ထုတ်ပေးပါသည်။ .စွန့်ထုတ်မှုမှ ထုတ်ပေးသော အပြုသဘောဆောင်သော အိုင်းယွန်းများသည် လျှပ်စစ်စက်ကွင်းတစ်ခု၏ လုပ်ဆောင်မှုအောက်ရှိ cathode သို့ ပျံသွားပြီး ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်ရှိ အက်တမ်များနှင့် ဆောင့်မိပါသည်။တိုက်မိမှုကြောင့် ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်မှ လွတ်မြောက်သော ပစ်မှတ်အက်တမ်များကို sputtering atoms ဟုခေါ်ပြီး ၎င်းတို့၏ စွမ်းအင်သည် 1 အီလက်ထရွန်ဗို့ ဆယ်ဂဏန်းအထိ အကွာအဝေးတွင် ရှိနေသည်။ကွဲအက်နေသောအက်တမ်များကို ဖလင်တစ်ခုအဖြစ်ဖန်တီးရန် အလွှာ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် စုပုံထားသည်။အငွေ့ပျံသောအလွှာနှင့်မတူဘဲ၊ sputter coating သည် ဖလင်ပစ္စည်း၏ အရည်ပျော်မှတ်ဖြင့် ကန့်သတ်မထားဘဲ၊ W၊ Ta၊ C၊ Mo၊ WC၊ TiC စသည်တို့ကို sputtering compound film မှ reactive sputtering ဖြင့် sputtering လုပ်နိုင်ပါသည်။ နည်းလမ်း၊ ဆိုလိုသည်မှာ ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့ (O, N, HS, CH, etc.) ဖြစ်သည်။
Ar ဓာတ်ငွေ့ထဲသို့ ပေါင်းထည့်ကာ ဓာတ်ပြုသောဓာတ်ငွေ့နှင့် ၎င်း၏ အိုင်းယွန်းများသည် ပစ်မှတ်အက်တမ် သို့မဟုတ် sputtered atom နှင့် ဓာတ်ပြုကာ ဒြပ်ပေါင်း (ဥပမာ အောက်ဆိုဒ်၊ နိုက်ထရိုဂျင်) ဒြပ်ပေါင်းများ စသည်တို့) ကိုဖွဲ့စည်းကာ အလွှာပေါ်တွင် အပ်နှံသည်။insulating film တွင် ကြိမ်နှုန်းမြင့် sputtering နည်းလမ်းကို သုံးနိုင်သည်။အလွှာကို မြေပြင်လျှပ်ကူးပစ္စည်းပေါ်တွင် တပ်ဆင်ထားပြီး လျှပ်ကာပစ်မှတ်ကို ဆန့်ကျင်ဘက်လျှပ်ကူးပစ္စည်းပေါ်တွင် တပ်ဆင်ထားသည်။ကြိမ်နှုန်းမြင့် ပါဝါထောက်ပံ့မှု၏ အဆုံးတစ်ဖက်ကို ချိတ်ဆက်ထားပြီး တစ်ဖက်ကို ကိုက်ညီသော ကွန်ရက်တစ်ခုနှင့် DC ပိတ်ဆို့သည့် ကာပတ်စီတာမှတစ်ဆင့် လျှပ်ကာပစ်မှတ် တပ်ဆင်ထားသော လျှပ်ကူးပစ္စည်းတစ်ခုနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ကြိမ်နှုန်းမြင့်ပါဝါထောက်ပံ့မှုကို ဖွင့်ပြီးနောက်၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်ဗို့အားသည် ၎င်း၏ polarity ကို စဉ်ဆက်မပြတ် ပြောင်းလဲပါသည်။ပလာစမာရှိ အီလက်ထရွန်နှင့် အပြုသဘောဆောင်သော အိုင်းယွန်းများသည် အပြုသဘောဆောင်သော ပတ်၀န်းကျင်နှင့် ဗို့အား၏ အနှုတ်တစ်ဝက်စက်ဝန်းအတွင်း လျှပ်ကာပစ်မှတ်ကို ထိမှန်သည်။အီလက်ထရွန် ရွေ့လျားနိုင်မှုသည် အပြုသဘောဆောင်သော အိုင်းယွန်းများထက် မြင့်မားသောကြောင့်၊ insulating ပစ်မှတ်၏ မျက်နှာပြင်သည် အနုတ်လက္ခဏာဆောင်ပါသည်။ဒိုင်းနမစ်မျှခြေသို့ရောက်ရှိသောအခါ၊ ပစ်မှတ်သည် အနုတ်ဘက်လိုက်နိုင်ခြေတွင် ရှိနေသည်၊ ထို့ကြောင့် ပစ်မှတ်ပေါ်ရှိ အပြုသဘောဆောင်သော အိုင်းယွန်းများ ဆက်လက်တည်ရှိနေစေရန်။Magnetron sputtering ကိုအသုံးပြုခြင်းသည် magnetron sputtering နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပမာဏတစ်ခုနီးပါး တိုးလာနိုင်သည်။
စာတိုက်အချိန်- ဇူလိုင် ၃၁-၂၀၂၁